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电磁兼容性

电磁兼容性( EMC )指电气设备或系统运行时,对其所处的电磁环境不产生干扰或抵抗电磁环境干扰的能力。 EMC 是评价产品质量好坏的重要标准之一。为了以最为经济的方式保证产品的 EMC 质量,应该在产品设计初期采取适当的措施。根据定义, EMC 被分为电磁干扰( EMI )、电磁抗扰度或敏感度( EMS )。法规规定应满足 EMI 的最大值和 EMS 最小值。相关标准中对于可用的限值、采用的测量方法和仪器都作出了规定。

电磁兼容性

电磁兼容性( EMC )指电气设备或系统运行时,对其所处的电磁环境不产生干扰或抵抗电磁环境干扰的能力。 EMC 是评价产品质量好坏的重要标准之一。为了以最为经济的方式保证产品的 EMC 质量,应该在产品设计初期采取适当的···

民用无人驾驶航空器系统电性能与电磁兼容测试方案

依据 GB 42590-2023《民用无人驾驶航空器系统安全要求》及 GB/T 38909-2020 等标准,面向微型、轻型、小型民用无人驾驶航空器,系统梳理整机级电性能测试、EMC 测试、关键部件验证、纹波注入与测试配置建议。

本方案为民用无人驾驶航空器研制单位、生产企业和检测机构提供电性能与电磁兼容测试框架,重点覆盖动力能源系统、电气安全、整机电磁发射与抗扰度,以及高风险场景下的纹波与系统稳定性验证。

解决方案

英伟达AIDC 800V+SST固态变压器技术分析报告

人工智能技术的迅猛发展正在重塑数据中心的电力需求格局。AI工作负载的指数级增长推动数据中心功率需求从千瓦级向兆瓦级跃迁,传统配电架构面临空间、铜材、效率和扩展性等多重瓶颈。英伟达提出的800V HVDC+SST固态变压器方案,为高密度AI数据中心供电带来革命性提升。

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华为AI数据中心参考设计分析报告

基于华为官方《华为AI数据中心参考设计》技术文档,系统梳理其在智算场景下的能源解决方案、技术架构与产品体系,为数据中心建设与升级提供端到端参考范式。

适用场景AI训练集群 / 大模型推理 / 混合算力 / 智算中心新建与改造
核心价值可靠 / 敏捷 / 可持续
典型功率密度50kW / 70kW / 132kW 每柜
极限PUE1.13

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SST固态变压器调研报告

固态变压器(Solid State Transformer,SST),又称电力电子变压器(PET),是一种基于电力电子技术和高频电磁感应原理的新型电力变换设备。与传统工频变压器依靠电磁感应原理工作不同,SST 通过高频电力电子变换器实现电压变换和隔离,其本质是高度集成的电力电子能量路由器。

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《AIDC用固态变压器技术要求》标准解读报告

《AIDC用固态变压器技术要求》是一项面向人工智能数据中心供电系统的团体标准,重点针对固态变压器在中压输入、直流输出、高效率和高动态响应等场景下的技术要求进行规范。

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《AIDC基础设施规范》解读报告

《AIDC基础设施规范》(Artificial Intelligence Data Center Infrastructure Specification)是全球计算联盟(GCC)发布的业界首个针对人工智能数据中心建设的系统性技术标准文件。该规范于 2025 年 9 月 17 日在首届 AIDC 产业发展大会上预发布,于 2026 年 1 月 9 日通过技术指导委员会审核,正式发布 v0.8 版本。

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柔性电流探头在功率半导体器件开关特性测试的应用案例

随着新能源汽车、光伏逆变和工业电源等领域快速发展,功率半导体器件正在从硅基材料向 SiC、GaN 等宽禁带材料演进。第三代半导体器件凭借高开关频率、低导通损耗和高工作温度等优势,持续重塑电力电子系统的性能边界。与此同时,开关时间缩短至纳秒级、开关损耗测量精度提升以及 di/dt 耐受能力达到数十 kA/μs 级别,也对测试测量设备提出了更高要求。

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高压差分探头应用案例

在电力电子技术快速发展的今天,高压差分探头已经成为现代电子测试领域中不可或缺的专业测量工具。随着 SiC、GaN 等宽禁带半导体器件广泛应用,以及电动汽车、新能源发电、工业变频等领域持续发展,对高压、高频信号的精确测量需求不断增长。传统单端探头在测量浮地信号时,往往存在共模干扰严重、测量误差大和安全风险高等问题,难以满足现代电力电子测试的要求。

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高压差分探头在功率半导体器件开关特性测试的应用案例

功率半导体器件的开关特性直接决定电力电子系统的效率、功率密度和可靠性。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代半导体技术快速发展,器件开关速度不断提升,开关时间进入纳秒级,dv/dt 可达 50-100V/ns 以上,开关特性测试因此面临前所未有的技术挑战。根据 T/CASAS 033-2024 标准,精准的开关特性测试要求测量设备具备高带宽、高共模抑制比和低输入电容等关键能力。

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T/CASAS 033-2024《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法》标准解读

本文围绕 T/CASAS 033-2024 的制定背景、双脉冲测试原理、测试电路设计、测试条件、仪器要求、计量方法、安全事项与行业意义进行系统梳理,帮助读者快速理解这项 SiC MOSFET 开关动态测试标准的关键内容与工程价值。

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